三星电子EUV曝光技术取得重大突破

        三星电子在EUV曝光技术取得重大进展，韩媒BusinessKorea报道，三星电子DS部门研究员Kang Young-seok表示，三星使用的EUV光罩掩膜（EUV pellicles）透光率（transmission rate）已达90%，计划再提高至94-96%。

        EUV光罩掩膜（Pellicle）是光罩上的薄膜，保护光罩免于微尘或挥发性气体的污染，使EUV顺利传输。光罩掩膜也是EUV曝光时的关键零件，目的是增加芯片生产良率，减少光罩使用时的清洁和检验。

        三星今年初声称已开发出透光率达88%的EUV光罩掩膜，且这款产品已经可以量产，而Kang表示三星EUV掩膜透光率再度增加，达到90%。其中，透光率90%的意思是只有90%进入薄膜的光线能到达光罩，这可能会影响电路图案的精度。这比更常见的氟化氩（ArF）制程中使用的薄膜透光率（99.3%）还低。

        当EUV光罩掩膜在250瓦光源下操作时，每平方公分会产生的5瓦热量，导致温度高达680℃以上，因此除了降低光源衰退外，还必须解决光罩掩膜在EUV过程中遇到的翘曲或断裂等散热问题。

        据报道，三星已主要客户的部分先进EUV代工生产线上导入EUV光罩掩膜。虽然三星也在DRAM生产线中采用EUV制程，但考虑到生产率和成本，该公司认为即使没有光罩掩膜也可以进行存储器量产。

        EUV光罩掩膜目前有ASML、三井化学（Mitsui Chemicals）、信越化学、S&S Tech、FST等业者跨足，但据Kang透露，三星并没有使用韩国国内供应商提供的EUV光罩掩膜，而是与日本三井化学合作，为唯一供应商。

        虽然FST和S&STech等韩国公司正积极开发EUV光罩掩膜，但还没实现量产。相比之下，台积电早在2019年开始使用自行开发的光罩掩膜，并已在7nm以下制程的生产线使用。