美国瞄准GaN器件，3500万美元资助公告曝光

        12月11日，美国商务部宣布为BAE Systems提供约3500万美元（折合人民币约2.5亿元）的初始资金，用于对新罕布什尔州纳舒厄的微电子中心 (MEC) 进行现代化改造。

        MEC是一家占地110000平方英尺、经美国防部 (DoD) 认证的芯片制造工厂，是美国境内唯一以国防应用为中心的6英寸GaAs和GaN HEMT晶圆代工厂。

        据悉，这是《芯片和科学法案》部分条例颁布以来首次资助公告，该法案旨在加强美国制造业、供应链和国家安全。

        这笔约3500万美元的资金将与BAE Systems在现代化改造和研发方面的持续投资相结合。该款项将帮助其购买新的生产设备，减轻供应链风险、提高产能并缩短产品制造时间。工厂效率提高后能够扩大生产规模，以满足美国防部技术发展日益增长的需求，为包括卫星通信、测试和测量设备市场在内的非国防工业提供关键的微电子产品。

        据了解，GaN和GaAs是当今全球最先进的有源相控阵雷达的核心材料。此外，电子战设备、防控导弹系统和反无人机武器等国防领域内都有搭载GaN器件的示例。

        由于GaN器件在军事领域的应用广泛，美国政府为增强国防实力，不断提升其国内GaN晶圆的产能。比如，格芯10月份获得美国政府3500万美元（折合人民币约2.56亿元）的资助，用于其佛蒙特州的晶圆厂开发和生产硅基氮化镓（GaN-on-Si）晶圆，该工厂每月可生产超过5万片晶圆。