三星或已试产第二代3纳米芯片，力拼良率超过60%

        韩媒《朝鲜日报》（Chosun）引述业界人士的话表示，三星已开始制造第二代3纳米制程（SF3）试制品，并测试芯片性能和可靠性，目标是6个月力拼良率超过60%。

        台积电、三星都在积极争取客户，准备上半年量产第二代3纳米GAA架构制程，能否满足Nvidia、高通、AMD等大客户需求，同时迅速提高产量，是竞争中能否成功的关键。

        三星正测试 SF3 试制芯片的性能和可靠性，首款产品将搭载即将推出的 Galaxy Watch 7 应用处理器（AP），预计用在 Galaxy S25 系列 Exynos 2500 芯片。

        如果SF3产量和性能稳定，转向台积电的客户将有机会回流，例如三星就相当关注与高通的合作。后者在新一代 Snapdragon 8 Gen 3 中与台积电合作生产。此外，Nvidia H200、B100和AMD MI300X预计也将采台积电3纳米制程。

        三星去年11月宣布，将于2024下半年量产SF3制程，虽然《朝鲜日报》报道未获三星回复，但从时间看推测相当合理。不过，报道提到芯片良率 60%，但没提到晶体管数量、芯片尺寸、性能、功耗及其他规格。

        此外，智能手表应用处理器、手机芯片和数据中心处理器的芯片尺寸、性能和功耗目标完全不同。小型芯片如果良率只有 60%，要商用相当困难，但若是光罩尺寸（reticle size）的芯片良率为 60%，就相当合理。