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纯化合物半导体代工厂推出全新RF GaN技术

  • 发布时间:2024-06-17 17:03:17
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6月14日,纯化合物半导体代工厂稳懋半导体(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司扩大了其RF GaN技术组合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化镓(GaN)技术测试版NP12-0B平台。目前,NP12-0B鉴定测试已经完成,最终建模/PDK生成预计将于2024年8月完成,并计划于2024年第三季度末发布完整的生产版本。

据稳懋半导体介绍,该平台的核心是0.12μm栅极RF GaN HEMT技术,该技术结合了多项改进,以增强直流和射频的耐用性,并增加芯片级防潮性。NP12-0B集成了多项晶体管改进,在深度饱和/高压缩脉冲和连续波条件下运行时具备高耐用性。这种新的耐用技术通过消除在GaN HEMT功率放大器中观察到的脉冲下降现象,从而提高了脉冲模式雷达系统的范围和灵敏度。此外,NP12-0B还提供增强型防潮性选项,在塑料封装中使用时具有出色的耐湿性。

NP12-0B平台支持全MMIC,允许客户开发适用于50GHz以下应用的紧凑型脉冲或CW饱和功率放大器。该工艺适用于28V工作电压,在29GHz频段可产生4.5 W/mm的饱和输出功率,线性增益为12 dB,功率附加效率超过40%。NP12-0B技术非常适合用于先进雷达系统的坚固型脉冲模式高功率放大器。

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